参数资料
型号: NDB5060L
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 840pF @ 30V
功率 - 最大: 68W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
其它名称: NDB5060LDKR
Typical Electrical Characteristics (continued)
N)
DS
25
20
V DS = 5V
T J = -55°C
100
60
30
R
(O
Lim
it
1 0 0
10μ
μs
s
25°C
1m
s
10
0m
15
10
125°C
10
5
V GS = 5V
10
DC
m
s
s
R
=2.2 C/W
5
2
1
SINGLE PULSE
o
θ JC
T C = 25°C
0
0
5
10
15
20
25
0.5
1
3
5
10
20
40
60
80
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature .
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
Figure 14. Maximum Safe Operating Area .
0.5
D = 0.5
θ JC
0.3
0.2
0.2
0.1
P(pk)
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R =2.2 °C/W
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
= P * R θ JC (t)
0.05
0.03
0.01
Single Pulse
T -T
J C
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.1
0.5
1
10
100
1000
3000
10000
t
,TIME (ms)
1
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.
NDP5060L Rev.A
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