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参数资料
| 型号： | NDB5060L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDB5060LDKR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
1.15
20
1.1
1.05
1
0.95
I D = 250μA
10
5
1
0.1
0.01
0.001
V GS = 0V
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.9
-50
-25
0
25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
175
0.0001
0
0.2
0.4 0.6 0.8
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1
1.2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature .
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature .
1500
1000
C iss
10
8
I D = 26A
V DS = 12V
48V
24V
500
6
C oss
200
f = 1 MHz
4
100
V GS = 0V
C rss
2
50
1
2
3
5
10
20
30
50
0
0
10
20
30
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics .
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics .
V DD
t on
t o f f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GEN
R GEN
G
D
DUT
V O U T
V O U T
10%
10%
90%
INVERTED
R GS
S
V IN
10%
50%
50%
PULSE WIDTH
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms .
NDP5060L Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB6060 | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| NDB7060 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB508A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB508AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB508B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB508BE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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