- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDB6060 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDB6060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NDB6060TR |
TO-263AB/D 2 PAK Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
TO-263AB/D 2 PAK Embossed Carrier Tape
Configuration: Figure 3.0
P0
D0
T
E1
F
K0
Wc
B0
E2
W
Tc
A0
P1
D1
User Direction of Feed
Dimensions are in millimeter
Pkg type
T O263AB/
D 2 PAK
(24mm)
A0
10.60
+/-0.10
B0
15.80
+/-0.10
W
24.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.60
+/-0.10
E1
1.75
+/-0.10
E2
22.25
min
F
11.50
+/-0.10
P1
16.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
4.90
+/-0.10
T
0.450
+/-0.150
Wc
21.0
+/-0.3
Tc
0.06
+/-0.02
Notes: A0, B0, and K0 dimensions are determined with respect to the EIA/Jedec RS-481
rotational and lateral movement requirements (see sketches A, B, and C).
10 deg maximum
Typical
component
0.9mm
maximum
B0
cavity
center line
0.9mm
maximum
10 deg maximum component rotation
Typical
Sketch A (Side or Front Sectional View)
Component Rotation
A0
component
center line
Sketch C (Top View)
Component lateral movement
TO-263AB/D 2 PAK
Reel Configuration:
Sketch B (Top View)
Component Rotation
Figure 4.0
W1 Measured at Hub
Dim A
Max
B Min
Dim C
Dim A
max
Dim N
Dim D
min
DETAIL AA
See detail AA
W3
13" Diameter Option
W2 max Measured at Hub
Dimensions are in inches and millimeters
Tape Size
24mm
Reel
Option
13" Dia
Dim A
13.00
330
Dim B
0.059
1.5
Dim C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
Dim D
0.795
20.2
Dim N
4.00
100
Dim W1
0.961 +0.078/-0.000
24.4 +2/0
Dim W2
1.197
30.4
Dim W3 (LSL-USL)
0.941 – 0.1.079
23.9 – 27.4
August 1999, Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB7060 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6060L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| NDB6060L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB608A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。