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参数资料
| 型号： | NDB6060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NDB6060TR |
Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE AVALANCHE RATINGS (Note 1)
W DSS
Single Pulse Drain-Source Avalanche
V DD = 25 V, I D = 48 A
200
mJ
Energy
I AR
Maximum Drain-Source Avalanche Current
48
A
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V DS = 60 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
T J = 125°C
60
250
1
100
-100
V
μA
mA
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
2
2.9
4
V
T J = 125°C
1.4
2.3
3.6
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 24 A
0.02
0.025
?
T J = 125°C
0.032
0.04
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 10 V
48
A
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 24 A
10
19
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
1190
475
150
1800
800
400
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 1)
t D(on)
t r
t D(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn - On Delay Time
Turn - On Rise Time
Turn - Off Delay Time
Turn - Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 30 V, I D = 48 A,
V GS = 10 V, R GEN = 7.5 ?
V DS = 48 V,
I D = 48 A, V GS = 10V
10
145
28
77
39
7.6
22
20
300
60
150
70
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB7060 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6060L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| NDB6060L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB608A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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