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参数资料
| 型号： | NDB6060 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NDB6060TR |
Typical Electrical Characteristics (continued)
30
24
V DS =10V
T J = -55°C
25°C
300
200
100
50
RD
S(
O
N)
Lim
it
10
0μ
s
10
μs
18
1m
s
12
125°C
20
10
5
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10
DC
10
0m
ms
s
R θ JC = 1.5 C/W
6
2
o
T C = 25°C
0
0
10
20
30
40
50
1
1
2
3
5
10
20
30
60
100
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
0.5
D = 0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.2
P(pk)
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 1.5 °C/W
0.05
0.02
t 1
t 2
0.03
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T C = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
t 1 ,TIME (m s)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDB7060 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NDC7001C | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 |
| NDC7002N_SB9G007 | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT |
| NDC7003P | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 |
| NDD03N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDB6060L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| NDB6060L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDB608A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB608AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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