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参数资料
| 型号： | NDP6060L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I S
I SM
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
48
144
A
A
V SD
Drain-Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 24 A (Note 1)
1.3
V
T J = 125°C
1.2
t rr
I rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
V GS = 0 V, I F = 48 A,
dI F /dt = 100 A/μs
35
2
75
3.6
140
8
ns
A
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1.5
62.5
° C/W
° C/W
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDP6060L Rev. D / NDB6060L Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS0605 | MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 |
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| NDS332P | MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 |
| NDS351AN | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDP6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| NDP606A | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
| NDP606B | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
| NDP608A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP608AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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