参数资料
型号: NDP6060L
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
产品目录绘图: MOSFET TO-220AB
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 25V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
产品目录页面: 1605 (CN2011-ZH PDF)
Typical Electrical Characteristics (continued)
40
30
T J = -55°C
25°C
300
200
100
RD
S(
O
N)
Lim
it
10
s
10
μs
50
125°C
1m
s
ms
0m
20
20
10
5
V GS = 5V
SINGLE PULSE
10
DC
10
s
R θ JC = 1.5 C/W
10
o
V DS =10V
2
T C = 25°C
0
0
10
20
30
40
1
1
2
3
5
10
20
30
60
100
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current. and Temperature
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Maximum Safe Operating. Area
0.5
D = 0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.2
P(pk)
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 1.5 °C/W
0.05
0.02
t 1
t 2
0.03
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T C = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
t 1 ,TIME (m s)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.
NDP6060L Rev. D / NDB6060L Rev. E
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