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参数资料
| 型号： | NDP6060L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Electrical Characteristics
100
2
80
V GS = 10V
6.0
5.0
4.5
V
GS
= 3.0V
3.5
4.0
1 .5
60
4.0
4.5
5.0
40
20
3.5
3.0
1
5.5
6.0
10
2.5
0
0 .5
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
2
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
1.75
I D = 24A
V GS = 5V
1.8
V GS = 5.0V
T J = 125°C
1.5
1.25
1.6
1.4
25°C
1.2
1
1
0.75
0.8
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0
20
40
60
80
100
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
1.3
50
V DS = 10V
T = -55°C
J
25°C
125°C
1.2
1.1
V DS = V GS
I D = 250μA
40
30
1
0.9
0.8
20
0.7
10
0.6
0
1
2
3
4
5
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDP6060L Rev. D / NDB6060L Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDP6060L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| NDP606A | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
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