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参数资料
| 型号： | NDS9952A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9952ADKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
I DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = -250 μA
V DS = 24 V, V GS = 0 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
30
-30
2
V
V
μA
T J = 55°C
25
μA
V DS = -24 V, V GS = 0 V
T J = 55°C
P-Ch
-2
-25
μA
μA
I GSSF
I GSSR
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
All
All
100
-100
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
N-Ch
1
1.7
2.8
V
T J = 125°C
0.7
1.2
2.2
V DS = V GS , I D = -250 μA
T J = 125°C
P-Ch
-1
-0.85
-1.6
-1.25
-2.8
-2.5
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 1.0 A
N-Ch
0.06
0.08
?
V GS = 4.5 V, I D = 0.5 A
T J = 125°C
T J = 125°C
0.08
0.08
0.11
0.13
0.11
0.18
V GS = -10 V, I D = -1.0 A
V GS = -4.5 V, I D = -0.5 A
T J = 125°C
T J = 125°C
P-Ch
0.11
0.15
0.17
0.24
0.13
0.21
0.2
0.32
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
N-Ch
15
A
V GS = -10 V, V DS = -5 V
P-Ch
-10
g FS
Forward Transconductance
V DS = 15 V, I D = 3.7 A
N-Ch
6
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
V DS = -15 V, I D = -2.9 A
P-Ch
4
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
N-Channel
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
P-Channel
V DS = -10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
320
350
225
260
85
pF
pF
pF
P-Ch
100
NDS9952A.SAM
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