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参数资料
| 型号： | NDS9952A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9952ADKR |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
-20
-15
V GS = -10V
-8.0
-7.0
-6.0
-5.5
3
2.5
V GS = -3.5V
-4.0
-4.5
-5.0
-5.0
2
-5.5
-10
-5
-4.5
-4.0
-3.5
1.5
1
-6.0
-7.0
-8.0
-10
-3.0
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.5
0
-3
-6
-9
-12
-15
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.6
Figure 12. P-Channel On-Region Characteristics.
Figure 13. P-Channel On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
2
1.4
1.2
1
0.8
I D = -2.9A
V G S = -10V
1.5
1
V GS = -10V
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.5
0
-3
-6 -9
I D , DRAIN CURRENT (A)
-12
-15
-10
Figure 14. P-Channel On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. P-Channel On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature.
1.2
-8
V DS = -10V
T J = -55°C
25°C
125°C
1.1
V DS = V GS
I D = -250μA
-6
-4
-2
1
0.9
0.8
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. P-Channel Transfer Characteristics.
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 17. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
NDS9952A.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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