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参数资料
| 型号： | NDS9952A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9952ADKR |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
1.1
1.08
1.06
I D = -250μA
10
5
1
V GS = 0V
J
1.04
1.02
0.5
0.1
T = 125°C
25°C
-55°C
1
0.98
0.96
0.01
0.94
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 18. P-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
1000
10
Figure 19. P-Channel Body Diode Forward
Voltage Variation with Current and
Temperature .
800
I D = -2.9A
V DS = -10V
-20V
500
300
C iss
8
6
-15V
200
C oss
4
100
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
0
0
2
4
6
8
10
12
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 20. P-Channel Capacitance Characteristics.
6
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 21. P-Channel Gate Charge Characteristics.
5
V DS = -15V
T J = -55°C
25°C
4
125°C
3
2
1
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
I D
, DRAIN CURRENT (A)
Figure 22. P-Channel Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
NDS9952A.SAM
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参数描述 |
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