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参数资料
| 型号： | NDS9952A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS9952ADKR |
Typical Thermal Characteristics: N & P-Channel
2.5
5
2
Total Power for Dual Operation
4
1a
1a
1.5
Power for Single Operation
3
1b
1c
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
T A = 2 5 C
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
1
0.5
0
1b
1c
0.2 0.4 0.6 0.8
4.5"x5" FR-4 Board
T A = 25 o C
Still Air
2
1
2
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4
4.5"x5" FR-4 Board
o
Still Air
V G S = 1 0 V
2
0.5
Figure 23. SO-8 Dual Package Maximum
Steady-State Power Dissipation versus
Copper Mounting Pad Area.
5
Figure 24. N-Ch Maximum Steady- State
Drain Current versus Copper Mounting
Pad Area.
30
4
10
3
RD
S(O
N)
LIM
IT
10
10
1m
ms
0u
s
s
1
10
0m
s
θ J A
3
2
1b
1c
4.5"x5" FR-4 Board
T A = 2 5 o C
Still Air
1a
0.3
0.1
0.03
R
V GS = 10V
SINGLE PULSE
= See Note 1c
T A = 25°C
1s
10 s
DC
1
0
V G S = - 1 0 V
0.1 0.2 0.3 0.4
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in 2 )
0.5
0.01
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
50
Figure 25. P-Ch Maximum Steady- State
Drain Current versus Copper Mounting
Pad Area.
Figure 26. N-Channel Maximum Safe Operating
Area.
30
10
3
1
RD
S(O
N)
LIM
IT
10
10
0m
1m
ms
s
s
10
0u
s
1s
θ J A
0.3
0.1
0.03
R
V GS = -10V
SINGLE PULSE
= See Note 1c
T A = 25°C
10
DC
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 27. P-Channel Maximum Safe Operating
Area.
NDS9952A.SAM
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参数描述 |
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