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参数资料
| 型号： | NE34018-T1 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 120mA |
| 噪音数据： | 0.6dB |
| 电流 - 测试： | 5mA |
| 功率 - 输出： | 12dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NE34018-T1TR NE34018-TR NE34018TR |
NE34018
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1 (T A = 25 ° C)
TYPICAL NOISE PARAMETERS (T A = 25 ° C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
FREQ.
NF OPT
G A
Γ OPT
V DS
Drain to Source Voltage
V
4
(MHz)
(dB)
(dB)
MAG
ANG
Rn/50
V GDO
Gate to Drain Voltage
V
-3
V DS = 2 V, I DS = 10 mA
V GSO
I DS
Gate to Source Voltage
Drain Current
V
mA
-3
I DSS
900 .56 20.5
2000 .63 16.3
.76
.61
30
41
.45
.28
T CH Channel Temperature ° C 125
T STG Storage Temperature ° C -65 to +125
P T Total Power Dissipation mW 150
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2500 .68 14.1
3000 .70 13.6
3500 .76 12.3
4000 .82 11.6
V DS = 2 V, I DS = 30 mA
2000 .60 17.0
2500 .70 15.3
3000 .76 14.2
.49
.39
.28
.20
.56
.43
.32
51
49
71
80
39
46
50
.18
.16
.12
.10
.23
.15
.26
V DS = 3 V, I DS = 20 mA
900 .56 20.2
2000 .62 16.8
2500 .66 14.9
3000 .70 14.0
3500 .80 13.2
4000 .84 12.8
4500 .90 11.0
.74
.62
.56
.45
.36
.29
.20
26
42
50
65
76
85
98
1.54
.43
.31
.24
.14
.10
.08
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T A = 25 ° C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
200
FREE AIR
150
100
50
R TH = 833?C/W
0
20?C
50
100 125?C 150
200
Ambient Temperature, T A ( ? C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | FET 900 MHZ SOT-143 |
| 167474J63B-F | CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL |
| FQI4N80TU | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| NE34018-T1-64-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| NE34018-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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