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参数资料
| 型号： | NE34018-T1 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 120mA |
| 噪音数据： | 0.6dB |
| 电流 - 测试： | 5mA |
| 功率 - 输出： | 12dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NE34018-T1TR NE34018-TR NE34018TR |
NE34018
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (T A = 25 ° C)
.6
.8
1
1.5
90?
2
.4
135?
45?
.2
S 11
8 GHz
3
4
5
S 22
8 GHz
S 22
0.5 GHz
10
20
S 21
0.5 GHz
S 12
0
.2
.4 .6
.8
1
1.5
2
3
4 5
10 20
180?
0.5 GHz
0.05
0.10 0.15
0?
-.2
-20
-10
-5
-4
S 11
0.5 GHz
1.00
2.00
S 21
8 GHz
S 12
8 GHz
-3
3.00
-.4
225?
4.00
315?
-2
-.6
-.8
-1
-1.5
5.00
270?
V DS = 2 V, I DS = 5 mA
FREQUENCY
S 11
S 21
S 12
S 22
K
MAG 1
(GHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
0.984
0.979
0.973
0.965
0.958
0.949
0.930
0.906
0.881
0.853
0.821
0.737
0.648
0.569
0.512
0.482
0.472
0.468
0.464
0.456
0.441
0.422
0.411
-15.1
-18.0
-21.0
-23.9
-26.8
-29.8
-35.7
-41.5
-47.5
-53.6
-59.8
-76.3
-94.2
-113.6
-133.0
-150.9
-165.2
-175.7
176.0
167.9
158.2
144.3
127.5
4.945
4.908
4.899
4.871
4.843
4.825
4.783
4.723
4.660
4.605
4.531
4.332
4.092
3.805
3.516
3.248
3.025
2.846
2.714
2.601
2.505
2.417
2.321
165.0
162.3
159.4
156.7
153.9
151.1
145.6
140.2
134.7
129.3
123.8
110.5
97.6
85.3
73.9
63.8
54.7
46.4
38.4
30.5
22.1
13.3
4.0
0.020
0.023
0.027
0.031
0.034
0.038
0.045
0.052
0.058
0.064
0.070
0.082
0.092
0.098
0.102
0.105
0.108
0.112
0.118
0.126
0.134
0.142
0.151
80.6
78.9
77.0
75.3
73.7
72.1
68.7
65.4
62.2
59.1
56.0
48.2
41.4
35.3
30.5
27.2
25.3
24.5
23.7
22.4
20.2
18.0
15.0
0.807
0.803
0.798
0.793
0.788
0.781
0.767
0.751
0.734
0.715
0.696
0.648
0.600
0.556
0.518
0.480
0.444
0.405
0.367
0.331
0.302
0.283
0.281
-7.2
-8.6
-10.0
-11.5
-12.9
-14.4
-17.3
-20.2
-23.1
-26.0
-28.9
-36.0
-42.4
-47.7
-51.8
-54.9
-57.8
-61.0
-65.4
-71.6
-80.8
-92.2
-105.9
0.135
0.152
0.174
0.195
0.213
0.231
0.270
0.314
0.354
0.395
0.438
0.542
0.643
0.748
0.845
0.932
1.004
1.068
1.107
1.130
1.149
1.161
1.152
23.931
23.292
22.587
21.963
21.536
21.037
20.265
19.582
19.050
18.570
18.111
17.229
16.481
15.891
15.374
14.904
14.074
12.459
11.622
10.955
10.372
9.874
9.503
Note:
1. Gain Calculations:
K -1
, K = 1 + | ? | - |S 11 | - |S 22 | , ? = S 11 S 22 - S 21 S 12
MAG =
|S 21 |
|S 12 |
( K ±
2
). When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S 21 |
|S 12 |
2 2 2
2 |S 12 S 21 |
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | FET 900 MHZ SOT-143 |
| 167474J63B-F | CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL |
| FQI4N80TU | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| NE34018-T1-64-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| NE34018-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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