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参数资料
| 型号： | NE34018-T1 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 120mA |
| 噪音数据： | 0.6dB |
| 电流 - 测试： | 5mA |
| 功率 - 输出： | 12dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NE34018-T1TR NE34018-TR NE34018TR |
NE34018
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (T A = 25 ° C)
V DS = 2 V, I DS = 20 mA
FREQUENCY
S 11
S 21
S 12
S 22
K
MAG 1
(GHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
0.969
0.958
0.946
0.931
0.916
0.899
0.864
0.825
0.785
0.745
0.701
0.596
0.499
0.422
0.374
0.357
0.359
0.366
0.372
0.372
0.365
0.353
0.348
-18.6
-22.1
-25.7
-29.2
-32.7
-36.1
-42.9
-49.3
-55.8
-62.1
-68.6
-85.3
-103.3
-123.1
-142.9
-160.6
-174.1
176.6
169.3
162.1
153.0
139.1
122.0
8.533
8.416
8.331
8.211
8.092
7.982
7.737
7.469
7.205
6.948
6.692
6.075
5.495
4.953
4.477
4.073
3.745
3.487
3.285
3.118
2.975
2.852
2.729
160.8
157.3
153.8
150.4
147.1
143.7
137.3
131.1
125.2
119.5
113.9
100.9
88.9
77.8
67.8
58.9
50.9
43.4
36.2
29.0
21.4
13.4
5.0
0.017
0.020
0.023
0.026
0.029
0.032
0.037
0.043
0.048
0.053
0.058
0.069
0.079
0.088
0.096
0.104
0.112
0.122
0.133
0.144
0.154
0.165
0.176
81.2
79.4
77.8
76.4
75.1
73.8
71.1
68.5
66.1
63.8
61.7
56.6
52.0
47.9
44.3
41.1
38.6
36.2
33.6
30.4
26.4
22.2
17.4
0.635
0.631
0.624
0.617
0.610
0.601
0.584
0.566
0.547
0.527
0.509
0.467
0.428
0.397
0.369
0.340
0.310
0.278
0.248
0.219
0.193
0.169
0.156
-7.3
-8.8
-10.2
-11.6
-12.9
-14.3
-16.9
-19.4
-21.8
-24.2
-26.5
-32.4
-37.8
-42.4
-45.8
-47.7
-48.8
-49.1
-50.0
-52.7
-60.2
-72.2
-91.3
0.221
0.256
0.289
0.324
0.354
0.387
0.451
0.512
0.570
0.623
0.675
0.786
0.879
0.952
1.009
1.047
1.073
1.084
1.084
1.086
1.090
1.088
1.079
27.007
26.241
25.590
24.994
24.457
23.970
23.204
22.398
21.764
21.176
20.621
19.447
18.423
17.504
16.118
14.596
13.589
12.796
12.160
11.571
11.031
10.569
10.189
Note:
1. Gain Calculations:
K -1
, K = 1 + | ? | - |S 11 | - |S 22 | , ? = S 11 S 22 - S 21 S 12
MAG =
|S 21 |
|S 12 |
( K ±
2
). When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S 21 |
|S 12 |
2 2 2
2 |S 12 S 21 |
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | FET 900 MHZ SOT-143 |
| 167474J63B-F | CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL |
| FQI4N80TU | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| NE34018-T1-64-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| NE34018-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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