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参数资料
| 型号： | NE34018-T1 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 120mA |
| 噪音数据： | 0.6dB |
| 电流 - 测试： | 5mA |
| 功率 - 输出： | 12dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NE34018-T1TR NE34018-TR NE34018TR |
NE34018
NE34018 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
CGD_PKG
0.02pF
LD
LD_PKG
LG_PKG
LG
Q1
0.4nH
0.18nH
DRAIN
GATE
0.18nH
0.93nH
CDS_PKG
CGS_PKG
0.1pF
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)
LS
0.25nH
LS_PKG
0.09nH
SOURCE
UNITS
0.1pF
Parameters
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
GAMMADC
Q
Q1
-0.6885
0
5
0.1838
0.038
0.03
1.8
Parameters
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
Q1
4
1.5
2
0
0
1
27
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
DELTA
VBI
IS
N
RIS
0.25
0.7
3e-13
1
0
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
3
1.43
0
0
1
MODEL RANGE
Frequency: 0.5 to 6 GHz
Bias: V DS = 1 V to 3 V, I D = 5 mA to 40 mA
Date: 6/97
RID
TAU
CDS
RDB
CBS
CGSO
CGDO
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
0
4e-12
0.1e-12
5000
1e-11
0.95e-12
0.04e-12
0.3
0.05
0.5
Infinity
(1) Series IV Libra TOM Model
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | FET 900 MHZ SOT-143 |
| 167474J63B-F | CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL |
| FQI4N80TU | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| NE34018-T1-64-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| NE34018-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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