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参数资料
| 型号： | NE34018-T1 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 120mA |
| 噪音数据： | 0.6dB |
| 电流 - 测试： | 5mA |
| 功率 - 输出： | 12dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NE34018-T1TR NE34018-TR NE34018TR |
NE34018
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)
ORDERING INFORMATION
PACKAGE OUTLINE 18
PART NUMBER
NE34018-A
QTY
Bulk up to 3 K
I DSS RANGE
(mA)
30-120
MARKING
V63 or V64
2.0 ± 0.2
0.65
2
2.1 ± 0.2
1.25 ± 0.1
3 0.65
+0.10
0.3 -0.05
(LEADS 2, 3, 4)
NE34018-TI-63-A
NE34018-TI-64-A
3 K/Reel
3 K/Reel
30-65
60-120
V63
V64
1.3
0.60
+0.10
0.4 -0.05
0.3
1
4
0.65
Pin Connections
1. Source
2. Gate
3. Source
4. Drain
0.9 ± 0.1
0 to 0.1
+0.10
0.15 -0.05
Life Support Applications
These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably
be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and
agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES ? Headquarters ? 4590 Patrick Henry Drive ? Santa Clara, CA 95054-1817 ? (408) 988-3500 ? Telex 34-6393 ? FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) ? Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -12/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | FET 900 MHZ SOT-143 |
| 167474J63B-F | CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL |
| FQI4N80TU | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| NE34018-T1-64-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| NE34018-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE34018-TI-63-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
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