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参数资料
| 型号： | NE350184C |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 263K |
| 描述： | HJ-FET 20GHZ MICRO-X |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.7dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 微型-X 陶瓷 84C |
| 供应商设备封装： | 84C |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q2712397 |
NE350184C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA
= +25
°C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
1
2
3
V
Drain Current
ID
5
10
15
mA
Input Power
Pin
?
?
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25
°C)
Parameter
Symbol
Test
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS
=
?3 V
?
?
10
μA
Saturated Drain Current
IDSS
VDS
= 2 V, V
GS
= 0 V
15
?
70
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS
(
off)
VDS
= 2 V, I
D
= 100
μA
?0.2
?
?2.0
V
Transconductance
gm
VDS
= 2 V, I
D
= 10 mA
40
?
?
mS
Noise Figure
NF
VDS
= 2 V, I
D
= 10 mA, f = 20 GHz
?
0.7
1.0
dB
Associated Gain
Ga
11
13.5
?
dB
Data Sheet PG10584EJ01V0S
2
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