参数资料
型号: NE350184C
厂商: CEL
文件页数: 7/8页
文件大小: 263K
描述: HJ-FET 20GHZ MICRO-X
标准包装: 1
晶体管类型: HFET
频率: 20GHz
增益: 13.5dB
电压 - 测试: 2V
额定电流: 70mA
噪音数据: 0.7dB
电流 - 测试: 10mA
电压 - 额定: 4V
封装/外壳: 微型-X 陶瓷 84C
供应商设备封装: 84C
包装: 散装
其它名称: Q2712397
NE350184C
RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS
This product should be soldered and mounted under the following recommended conditions.
For soldering
methods and conditions other than those recommended below, contact your nearby
sales office.
Soldering Method
Soldering Conditions
Condition
Symbol
Infrared Reflow
Peak temperature (package surface temperature)
: 260°C or below
Time at peak temperature
: 10 seconds or less
Time at temperature of 220°C or higher
: 60 seconds or less
Preheating time at 120 to 180°C : 120±30 seconds
Maximum number of reflow
processes
: 3 times
Maximum chlorine content of rosin flux (% mass)
: 0.2%(Wt.) or below
IR260
Partial Heating
Peak temperature (terminal temperature)
: 350°C or below
Soldering time (per side of device)
: 3 seconds or less
Maximum chlorine content of rosin flux (% mass)
: 0.2%(Wt.) or below
HS350
Caution
Do not use different soldering methods together (except for partial heating).
Data Sheet PG10584EJ01V0S
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PDF描述
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参数描述
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NE350184C-T1A 功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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