- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录96 > NE350184C (CEL)HJ-FET 20GHZ MICRO-X Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NE350184C |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 263K |
| 描述： | HJ-FET 20GHZ MICRO-X |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.7dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 微型-X 陶瓷 84C |
| 供应商设备封装： | 84C |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q2712397 |
NE350184C
RF MEASURING LAYOUT PATTERN (REFERENCE ONLY) (UNIT: mm)
13.0
2.07
84C Ver. 2
2.11 mm/R.P.
1.78
1.0
1.78
2.11
2.11
Reference Plane
(Calibration Plane)
Reference Plane
(Calibration Plane)
6.0
0.5
0.74
1.0
0.5
φ0.3 TH
ZO
= 50
?
ZO
= 50
?
RT/duroid 5880/ROGERS
t =
0.254 mm
εr =
2.20
tan delta =
0.0009 @10 GHz
Data Sheet PG10584EJ01V0S
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3503M04-T2-A | AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343 |
| NE3508M04-T2-A | AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM |
| NE3509M04-A | AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI |
| NE3510M04-T2-A | FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04 |
| NE3511S02-T1C-A | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE350184C(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NE350184C-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE350184C-T1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE350184C-T1A | 功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3503M04 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。