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参数资料
| 型号： | NE350184C |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 263K |
| 描述： | HJ-FET 20GHZ MICRO-X |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.7dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 微型-X 陶瓷 84C |
| 供应商设备封装： | 84C |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q2712397 |
NE350184C
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25
°C)
Total Power Dissipation P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA
(?C)
vs. AMBIENT TEMPERATURE
TOTAL POWER DISSIPATION
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
80
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
Drain Current I
D
(mA)
Gate to Source Voltage VGS
(V)
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VDS
= 2 V
10
15
0
5
20
25
30
Drain Current ID
(mA)
Minimum Noise Figure NF
min
(dB)
Associated Gain G
a
(dB)
ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT
MINIMUM NOISE FIGURE,
f = 20 GHz
VDS
= 2 V
NFmin
Ga
VDS
= 2 V
ID
= 10 mA
NFmin
Ga
Drain Current I
D
(mA)
Drain to Source Voltage VDS
(V)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN CURRENT vs.
100
20
40
60
80
0
1.0
2.0
VGS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm2
×
1.0 mm (t) )
Frequency f (GHz)
Minimum Noise Figure NF
min
(dB)
Associated Gain G
a
(dB)
ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY
MINIMUM NOISE FIGURE,
2.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.0
0
2.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.0
20
12
14
16
18
6
8
10
2
4
0
25
15
10
5
20
0
30
10
15
5
20
25
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
Data Sheet PG10584EJ01V0S
3
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PDF描述 |
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| NE350184C-T1A | 功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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