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参数资料
| 型号： | NE350184C |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 263K |
| 描述： | HJ-FET 20GHZ MICRO-X |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 20GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.7dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 微型-X 陶瓷 84C |
| 供应商设备封装： | 84C |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q2712397 |
NE350184C
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form
(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave] →
[Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/
Data Sheet PG10584EJ01V0S
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NE350184C-T1A | 功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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