参数资料
| 型号： | NID6002NT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 185 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 6.5A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NID6002N
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Rating
Drain?to?Source Voltage Internally Clamped
Gate?to?Source Voltage
Symbol
V DSS
V GS
Value
70
" 14
Unit
Vdc
Vdc
Drain Current
Continuous
I D
Internally Limited
Total Power Dissipation
@ T A = 25 ° C (Note 1)
@ T A = 25 ° C (Note 2)
Thermal Resistance
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient (Note 1)
Junction?to?Ambient (Note 2)
Single Pulse Drain?to?Source Avalanche Energy
P D
R q JC
R q JA
R q JA
E AS
1.3
2.5
3.0
95
50
143
W
° C/W
mJ
(V DD = 50 Vdc, V GS = 5.0 Vdc,
I L = 1.3 Apk, L = 160 mH, R G = 25 W ) (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
T J , T stg
?55 to 150
° C
(Note 4)
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Surface mounted onto minimum pad size (100 sq/mm) FR4 PCB, 1 oz cu.
2. Mounted onto 1 ″ square pad size (700 sq/mm) FR4 PCB, 1 oz cu.
3. Not subject to production test.
4. Normal pre?fault operating range. See thermal limit range conditions.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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