参数资料
| 型号： | NID6002NT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 185 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 6.5A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NID6002N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
12
10
8
T J = 25 ° C
10 V
6
5
4
T J = ?55 ° C
T J = 25 ° C
6
5V
4.5 V
3
T J = 100 ° C
4.0 V
4
3.5 V
2
T J = 100 ° C
2
0
3.0 V
1
0
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
5.0
10
15
20
0
1
2
3
4
5
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.27
0.26
0.25
I D = 2 A
T J = 25 ° C
0.23
0.22
T J = 25 ° C
0.24
0.23
0.22
0.21
0.20
0.19
0.18
0.21
0.20
0.19
0.18
V GS = 5 V
V GS = 10 V
3.0
5.0
7.0
9.0
11
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.8
I D = 3.75 A
1E?03
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
V GS = 10 V
8E?04
6E?04
1
4E?04
T J = 100 ° C
0.8
2E?04
0.6
0.4
0E+00
?55
?35
?15
5
25
45
65
85
105
0
10
20
30
40
50
60
70
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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