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参数资料
| 型号： | NMSD200B01-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NMSD200B01DIDKR NMSD200B01DKR NMSD200B01DKR-ND |
Typical Characteristics
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 3, Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Typical N-Channel MOSFET-Q1 (ESD Protected) Characteristics
1.4
1.2
1.0
0.8
0.7
0.6
0.5
0.8
0.4
0.6
0.3
0.4
0.2
0.2
0.1
0
0
1 2 3 4
5
0
0
1
2 3
4
5
6
2
1.5
1
0.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Output Characteristics
10
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig. 5 Transfer Characteristics
0
-50
-25
0 25 50
75 100
125 150
0.1
0.001
0.01
0.1
1
T ch , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
DS30911 Rev. 7 - 2
3 of 8
www.diodes.com
NMSD200B01
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NOA1302DCRG | AMBIENT LIGHT SENSOR SSPO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NMSF0612/R/0030/RS | 制造商:COPELY DEVELOPMENTS 功能描述:DIA. 6/4MM RED 30M |
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