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参数资料
| 型号： | NMSD200B01-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NMSD200B01DIDKR NMSD200B01DKR NMSD200B01DKR-ND |
10
1
0.1
I D, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 8 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
0
T j , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 10 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Junction Temperature
1
0
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Static Drain-Source On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
DS30911 Rev. 7 - 2
4 of 8
www.diodes.com
NMSD200B01
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NOA1302DCRG | AMBIENT LIGHT SENSOR SSPO8 |
| NOIH2SM1000S-HHC | IC SPACE IMAGE SENSOR 84-JLCC |
| NOII5SM1300A-QDC | SENSOR IMAGE MONO CMOS 84-LCC |
| NOIL1SC4000A-GDC | IC IMAGE SENSOR 4MP 127-PGA |
| NOIL1SE3000A-GDC | IC IMAGE SENSOR 3MP 369-PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NMSF0415/N/0030/RS | 制造商:COPELY DEVELOPMENTS 功能描述:4MM NAT EX FLEX TUBING |
| NMSF0416/BK/0030/RS | 制造商:COPELY DEVELOPMENTS 功能描述:4MM BLK EX FLEX TUBING |
| NMSF0418/R/0030/RS | 制造商:COPELY DEVELOPMENTS 功能描述:4MM RED EX FLEX TUBING |
| NMSF0612/R/0030/RS | 制造商:COPELY DEVELOPMENTS 功能描述:DIA. 6/4MM RED 30M |
| NM-SF50 | 制造商:MINI 制造商全称:Mini-Circuits 功能描述:50OHM, DC to 18 GHz |
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