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参数资料
| 型号： | NT5SV8M8DT-7 |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 17/21页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | NT5SV8M8DT-7 |
NT5SV16M4DT
NT5SV8M8DT
NT5SV4M16DT
64Mb Synchronous DRAM
REV 1.1
10/01
5
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Block Diagram
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Sense Amplifiers
Memory Bank 1
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Sense Amplifiers
Memory Bank 3
Cell Array
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Sense Amplifiers
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Cell Array
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Sense Amplifiers
Memory Bank 2
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Cell Array, per bank, for 4Mb x 4 DQ: 4096 Row x 1024 Col x 4 DQ (DQ0-DQ3).
Cell Array, per bank, for 2Mb x 8 DQ: 4096 Row x 512 Col x 8 DQ (DQ0-DQ7)
.
Cell Array, per bank, for 1Mb x 16 DQ: 4096 Row x 256 Col x 16 DQ (DQ0-DQ15).
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