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参数资料
| 型号： | NT5SV8M8DT-7 |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | NT5SV8M8DT-7 |
NT5SV16M4DT
NT5SV8M8DT
NT5SV4M16DT
64Mb Synchronous DRAM
REV 1.1
10/01
14
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
DC Electrical Characteristics (T
A = 0 to +70 ?C, V
DD = 3.3V ? 0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
II(L)
Input Leakage Current, any input
(0.0V
? V
IN ? VDD), All Other Pins Not Under Test = 0V
-1
+1
? A
IO(L)
Output Leakage Current
(DOUT is disabled, 0.0V ? VOUT ? VDDQ)
-1
+1
? A
VOH
Output Level (LVTTL)
Output “H” Level Voltage (IOUT = -2.0mA)
2.4
—
V
V OL
Output Level (LVTTL)
Output “L” Level Voltage (IOUT = +2.0mA)
—
0.4
V
DC Output Load Circuit
Output
1200
?
50pF
3.3 V
870
?
VOH (DC) = 2.4V, IOH = -2mA
VOL (DC) = 0.4V, I OL = 2mA
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