- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189272 > NTD18N06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD18N06L-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 18A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | NTD18N06L-1 |
NTD18N06L
http://onsemi.com
7
INFORMATION FOR USING THE DPAK SURFACE MOUNT PACKAGE
RECOMMENDED FOOTPRINT FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
Surface mount board layout is a critical portion of the
total design. The footprint for the semiconductor packages
must be the correct size to ensure proper solder connection
interface between the board and the package. With the
correct pad geometry, the packages will self align when
subjected to a solder reflow process.
0.190
4.826
mm
inches
0.100
2.54
0.063
1.6
0.165
4.191
0.118
3.0
0.243
6.172
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD18N06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
| NTD20N03L27-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
| NTD20N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA |
| NTD24N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-252AA |
| NTE0503M-R | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD18N06L-1G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTD18N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。