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参数资料
| 型号： | NTD18N06L-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 18A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | NTD18N06L-1 |
NTD18N06L
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E
AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN–T
O–SOURCE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Thermal Response
1
100
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
0
25
50
75
100
125
ID = 12 A
10
175
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
20
40
80
VGS = 15 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
1 ms
100
s
10 ms
dc
10
s
150
60
r(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
t, TIME (
s)
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
θJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
1.0E+00
1.0E+01
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTD18N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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| NTD18N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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