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参数资料
| 型号： | NTD18N06L-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 18A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | NTD18N06L-1 |
NTD18N06L
http://onsemi.com
3
0
0.06
30
20
0.04
0.02
0
10
0.1
0.12
40
0.08
2
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
1
1000
10000
04
20
2
1
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0
0.06
30
20
0.04
0.02
0
10
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(
)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(
)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Drain–to–Source Leakage Current
versus Voltage
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
40
–50
50
25
0
–25
75
125
100
1.6
2.4
5.6
040
30
20
60
10
3
10
30
8 V
VDS ≥ 10 V
TJ = 25°C
TJ = –55°C
TJ = 100°C
VGS = 5 V
VGS = 10 V
150
175
VGS = 0 V
ID = 9 A
VGS = 5 V
0.1
0.12
VGS = 10 V
TJ = 25°C
TJ = –55°C
TJ = 100°C
40
TJ = 150°C
TJ = 100°C
20
0
40
10
30
3.2
4
TJ = 25°C
TJ = –55°C
50
100
6 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
1.8
5.5 V
4.8
0.08
10
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| NTD18N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD18N06LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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| NTD18N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 18A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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