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参数资料
| 型号： | NTHD4508NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTHD4508NT1GOSDKR |
NTHD4508N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
V (BR)DSS
I DSS
V GS = 0 V
V GS = 0 V, V DS = 16 V
20
1.0
V
m A
V GS = 0 V, V DS = 16 V, T J = 125 ° C
10
Gate?to?Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = " 12 V
" 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Drain?to?Source On?Resistance
V GS(TH)
R DS(on)
V GS = V DS , I D = 250 m A
V GS = 4.5, I D = 3.1 A
0.6
60
1.2
75
V
m W
V GS = 2.5, I D = 2.3 A
80
115
Forward Transconductance
g FS
V DS = 10 V, I D = 3.1 A
6.0
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
180
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 10 V
80
25
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V,
I D = 3.1 A
2.6
0.5
0.6
0.7
4.0
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn?On Delay Time
t d(ON)
5.0
10
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 16 V,
I D = 3.1 A, R G = 2.5 W
15
10
3.0
30
20
6.0
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
V SD
t RR
ta
tb
Q RR
V GS = 0 V, I S = 3.1 A
V GS = 0 V, I S = 1.5 A,
dI S /dt = 100 A/ m s
0.75
12.5
9.0
3.5
6.0
1.15
V
ns
nC
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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