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参数资料
| 型号： | NTHD4508NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTHD4508NT1GOSDKR |
NTHD4508N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
8
6
4
2
V GS = 5 V to 3 V
V GS = 2.4 V
2.2 V
2V
1.8 V
1.6 V
T J = 25 ° C
8
6
4
2
V DS ≥ 10 V
T C = ?55 ° C
0
1.4 V
0
25 ° C
100 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.15
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
I D = 3.1 A
T J = 25 ° C
0.1
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.10
0.07
V GS = 4.5 V
0.05
0
0.04
0
1
2
3
4
5
6
1
3
5
7
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.7
I D = 3.1 A
V GS = 4.5 V
1.5
1.3
100
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 100 ° C
10
1.1
0.9
0.7
1
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD4N02FT1G | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| NTHD4P02FT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
| NTHD5903T1G | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD4N02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTHD4N02F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTHD4N02FT1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4N02FT1G | 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4P02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
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