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参数资料
| 型号： | NTJD5121NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 295mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 26pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD5121N
ELECTRICAL CHARACTERISTIC S (T J = 25 ° C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
I D = 250 m A, ref to 25 ° C
60
92
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 60 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.0
500
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 10
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.0
1.7
2.5
V
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH) /T J
4.0
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 500 mA
1.0
1.6
W
V GS = 4.5 V, I D = 200 mA
1.2
2.5
Forward Transconductance
Gate Resistance
g FS
R G
V DS = 5 V, I D = 200 mA
80
536
S
W
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
26
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 20 V
4.4
2.5
Total Gate Charge
Q G(TOT)
0.9
nC
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 4.5 V, V DS = 25 V,
I D = 200 mA
0.2
0.3
0.28
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
22
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 4.5 V, V DD = 25 V,
I D = 200 mA, R G = 25 W
34
34
32
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 200 mA
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
0.8
0.7
1.2
V
2. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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