参数资料
型号: NTJD5121NT2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 295mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 26pF @ 20V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 带卷 (TR)
NTJD5121N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
40
5
30
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
4
I D = 0.2 A
T J = 25 ° C
V DD = 25 V
3
20
2
10
C oss
C rss
1
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1
V GS = 0 V
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
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4
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NTJS3151PT1G 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3151PT2 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3151PT2G 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube