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参数资料
| 型号： | NTJD5121NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 295mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 26pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD5121N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1.6
1.2
5V
4.5 V
4.2 V
V GS = 10
T J = 25 ° C
4V
3.8 V
1.2
1
0.8
V DS ≥ 10 V
0.8
0.4
2.4 V
2.2 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3V
2.8 V
2.6 V
0.6
0.4
0.2
25 ° C
T J = 125 ° C
? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
2.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
2.4
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
2
1.6
1.2
0.8
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
V GS = 4.5 V
2
1.6
1.2
0.8
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.4
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2.4
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
1.8
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
2
I D = 500 mA
1.6
I D = 0.2 A
V GS = 4.5 V and 10 V
1.4
1.6
1.2
1.2
I D = 200 mA
4.5 V
10 V
1
0.8
0.8
2
4
6
8
10
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125 150
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On ? Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJS3151PT1G | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| NTJS3157NT4G | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 |
| NTJS4151PT1 | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 |
| NTJS4160NT1G | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 |
| NTJS4405NT4G | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS3151P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88 |
| NTJS3151PT1 | 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS3151PT1G | 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS3151PT2 | 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS3151PT2G | 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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