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参数资料
| 型号： | NTLTD7900ZR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLTD7900ZR2GOSCT |
NTLTD7900ZR2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain--to--Source Breakdown Voltage (Note 2)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 85 ° C)
Gate--Body Leakage Current
(V GS = ? 4.5 Vdc, V DS = 0 Vdc)
(V GS = ? 12 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
20
--
--
--
--
24
--
--
--
--
--
1.0
20
1.0
500
Vdc
m Adc
m Adc
m Adc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage (Note 2)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Static Drain--to--Source On--Resistance (Note 2)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 6.5 Adc)
(V GS = 2.5 Vdc, I D = 5.8 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
0.4
--
--
0.67
21
27
1.0
26
31
Vdc
m Ω
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
--
7.4
15
pF
Output Capacitance
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz)
C oss
--
237
400
Transfer Capacitance
C rss
--
4.1
10
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn--On Delay Time
t d(on)
--
0.55
1.0
m s
Rise Time
Turn--Off Delay Time
(V GS = 4.5 Vdc, V DD = 10 Vdc,
I D = 1.0 Adc, R G = 9.1 Ω )
(Note 2)
t r
t d(off)
--
--
1.17
1.87
2.0
3.0
Fall Time
t f
--
4.8
7.0
m s
Gate Charge
Gate Charge
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 6.5 Adc,
V DS = 10 Vdc)
(Note 2)
Q T
Q 1
Q 2
--
--
--
12
0.7
3.7
18
--
--
nC
nC
SOURCE--DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On--Voltage
(I S = 1.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
I S = 1.0 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 85 ° C)
(Note 2)
V SD
--
--
0.69
0.62
0.8
--
Vdc
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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