参数资料
型号: NTLTD7900ZR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
产品变化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 15pF @ 16V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: Micro8?
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTLTD7900ZR2GOSCT
NTLTD7900ZR2
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P (pk)
R θ JC (t) = r(t) R θ JC
D CURVES APPLY FOR POWER
0.01
0.02
10--4
SINGLE PULSE
10--3
10--2
10--1
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
1 10
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) -- T C = P (pk) R θ JC (t)
100
1000
t, TIME (seconds)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTLTD7900ZR2
NTLTD7900ZR2G
Package
Micro8 LL
Micro8 LL
(Pb--Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
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