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参数资料
| 型号： | NTLTD7900ZR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLTD7900ZR2GOSCT |
NTLTD7900ZR2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
8
10,000
1000
6
100
4
2
10
1
0.1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0
0
3
6
9
12 15
18
0.01
0
3
6
9
12
15
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. Gate--Current versus Gate--Source
Voltage
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Gate--Current versus Gate--Source
Voltage
30
24
18
12
2.4 V
2.8 V
3.5 V
4.5 V
10 V
2.2 V
2.0 V
1.8 V
1.6 V
30
24
18
12
6
1.4 V
6
T C = 25 ° C
0
0
2
4
6
V GS = 1.2 V
8
10
0
0
0.4
T C = 125 ° C
0.8
1.2
T C = --55 ° C
1.6
2.0
2.4
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On--Region Characteristics
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0
0
6
12
18
24
30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5. On--Resistance versus Drain Current
http://onsemi.com
3
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