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参数资料
| 型号： | NTLTD7900ZR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLTD7900ZR2GOSCT |
NTLTD7900ZR2
5
4
3
2
T J = 25 ° C
I D = 6.5 A
10,000
1000
t f
t d(off)
t r
t d(on)
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1
V DS = 10 V
I D = 6.5 A
V GS = 4.5 V
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate--to--Source
R G , GATE RESISTANCE ( Ω )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
10
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
1.8
1.6
ID = 9 A
V GS = 4.5 V
1.4
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1.2
1.0
0.8
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus Current
0.2
0.040
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. On--Resistance Variation with
Temperature
0.1
I D = 250 m A
0.035
T J = 125 ° C
0.030
0
--0.1
--0.2
--0.3
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
T J = 25 ° C
T J = --55 ° C
--0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On--Resistance versus Drain
Current and Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLUD3191PZTAG | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN |
| NTLUD3A260PZTBG | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6 |
| NTLUF4189NZTAG | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLTS3107P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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| NTLUD3191PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −1.8 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUD3191PZTAG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 1.7A 250mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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