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参数资料
| 型号： | NTMD4884NFR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD4884NF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Maximum Instantaneous
V F
I F = 0.1 A
T J = 25 ° C
0.26
0.28
V
Forward Voltage
I F = 2.0 A
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.11
0.4
0.35
0.13
0.50
0.46
Maximum Instantaneous
I R
V R = 10 V
T J = 25 ° C
0.020
0.25
mA
Reverse Current
T J = 125 ° C
10
37
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
TYPICAL CHARACTERISTICS
15 10 V
5V
4.2 V
V GS = 4.0 V
T J = 25 ° C
3.8 V
15
V DS ≥ 10 V
12
9
4.5 V
3.6 V
3.4 V
12
9
6
3
3.2 V
3.0 V
6
3
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
2.6 V
2.8 V
0
T J = -55 ° C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.08
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.06
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.07
ID = 4 A
T J = 25 ° C
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.05
0.06
0.05
0.04
0.04
V GS = 10 V
0.03
0.03
0.02
0.02
2
4
6
8
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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