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参数资料
| 型号： | NTMD4884NFR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD4884NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.500
10,000
1.375
1.250
ID = 4 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.125
1.000
0.875
0.750
100
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
350
300
T J = 25 ° C
C iss
10
8
QT
V GS
250
200
6
150
4
Q1
Q2
100
50
0
V GS = 0 V
C oss
C rss
2
0
ID = 4 A
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
100
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 15 V
3.0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
10
ID = 1.0 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t d(on)
2.5
2.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
0.1
t r
1.5
1.0
0.5
0
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD5836NLR2G | MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL |
| NTMD5838NLR2G | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC |
| NTMD6N02R2 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| NTMD6N03R2 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| NTMD6P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD4N03 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 4 A, 30 V, Na??Channel SOa??8 Dual |
| NTMD4N03R2 | 功能描述:MOSFET 30V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD4N03R2G | 功能描述:MOSFET 30V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD5836NL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NN CH 40V 9/5.7A 8SOIC 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, NN CH, 40V, 9/5.7A, 8SOIC 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET, NN CH, 40V, 9/5.7A, 8SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
| NTMD5836NLR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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