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参数资料
| 型号： | NTMD4884NFR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD4884NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.1
0.01
Single Pulse
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 11. Thermal Response - R q JA at Steady State (min pad)
100
0.5
0.2
10 0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
Single Pulse
0.01
0.001
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 12. Thermal Response - R q JA at Steady State (1 inch sq pad)
100
10
T J = 125 ° C
100
10
T J = 125 ° C
1
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
1
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 13. Typical Forward Voltage
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 14. Maximum Forward Voltage
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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