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参数资料
| 型号： | NTMD4884NFR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD4884NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
100E-3
10E-3
1E-3
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
100E-3
10E-3
1E-3
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
100E-6
10E-6
1E-6
T J = 25 ° C
100E-6
10E-6
1E-6
T J = 25 ° C
0
10
20
30
0
10
20
30
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 15. Typical Reverse Current
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 16. Maximum Reverse Current
1000
T J = 25 ° C
100
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 17. Capacitance
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTMD5836NLR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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