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参数资料
| 型号： | NTMD6N02R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD6N02R2OS |
NTMD6N02R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted) (continued) (Note 8)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
BODY?DRAIN DIODE RATINGS (Note 9)
Diode Forward On?Voltage
(I S = 4.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
V SD
?
0.83
1.1
Vdc
(I S = 6.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 6.0 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
?
?
0.88
0.75
1.2
?
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 6.0 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
30
15
15
0.02
?
?
?
?
ns
m C
8. Handling precautions to protect against electrostatic discharge is mandatory.
9. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
12
10
10 V
2.5 V
4.5 V
3.2 V
2.0 V
T J = 25 ° C
12
10
V DS ≥ 10 V
8
6
1.8 V
8
6
4
4
100 ° C
25 ° C
2
V GS = 1.5 V
2
T J = ?55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.07
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.05
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
I D = 6.0 A
T J = 25 ° C
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0.01
1
3
5
7
9
11
13
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?To?Source Voltage
http://onsemi.com
3
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD6N03R2 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| NTMD6P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| NTMFD4901NFT1G | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
| NTMFS4108NT1G | MOSFET N-CHAN 22A 30V SO-8FL |
| NTMFS4119NT1G | MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD6N02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts |
| NTMD6N02R2_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts |
| NTMD6N02R2G | 功能描述:MOSFET NFET 20V 0.035R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N03R2 | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N03R2G | 功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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