型号: | NTMD6N02R2 |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
产品变化通告: | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
标准包装: | 2,500 |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.92A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 35 毫欧 @ 6A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1100pF @ 16V |
功率 - 最大: | 730mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOICN |
包装: | 带卷 (TR) |
其它名称: | NTMD6N02R2OS |