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参数资料
| 型号： | NTMD6N02R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD6N02R2OS |
NTMD6N02R2
DRAIN?TO?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
5
100
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
10
3
2
1
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.001
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD6N03R2 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD6N02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts |
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| NTMD6N02R2G | 功能描述:MOSFET NFET 20V 0.035R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N03R2 | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N03R2G | 功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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