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参数资料
| 型号： | NTMFS5832NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS5832NLT1GOSDKR |
NTMFS5832NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
4000
3500
3000
2500
2000
1500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
6
4
Q gs
V DS
Q gd
Q T
V GS
90
80
70
60
50
40
30
1000
C oss
2
20
500
0
0
C rss
10
20
30
40
0
0
10
20
30
40
I D = 20 A
T J = 25 ° C
50
10
0
60
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = 20 V
I D = 20 A
V GS = 4.5 V
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
t d(on)
60
10
t f
t r
40
20
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
140
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
120
100
80
I D = 53 A
1
0.1
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
60
40
20
0.01
Package Limit
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS5834NLT1G | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL |
| NTMFS5844NLT1G | MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL |
| NTMS10P02R2 | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| NTMS3P03R2G | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| NTMS4107NR2G | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS5834NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 m, Single N.Channel |
| NTMFS5834NLT1G | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTMFS5844NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel |
| NTMFS5844NLT1G | 功能描述:MOSFET 60V NCH T2 SO8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NT-MIL 1/2-0-SP | 功能描述:热收缩管和套管 HS-TUBING 1/2" BK PRICE PER FT RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 类型:Tubing 材料:Polyolefin, Flexible 颜色:Clear 最低收缩温度:+ 100 C 恢复直径: 长度:100 ft 内径:1.5 in 收缩率:2:1 |
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