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参数资料
| 型号： | NTMFS5832NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS5832NLT1GOSDKR |
NTMFS5832NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
Duty Cycle = 0.5
10
0.2
0.1
1 0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
0.000001
Single Pulse
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS5834NLT1G | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL |
| NTMFS5844NLT1G | MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL |
| NTMS10P02R2 | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| NTMS3P03R2G | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| NTMS4107NR2G | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS5834NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 m, Single N.Channel |
| NTMFS5834NLT1G | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTMFS5844NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel |
| NTMFS5844NLT1G | 功能描述:MOSFET 60V NCH T2 SO8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NT-MIL 1/2-0-SP | 功能描述:热收缩管和套管 HS-TUBING 1/2" BK PRICE PER FT RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 类型:Tubing 材料:Polyolefin, Flexible 颜色:Clear 最低收缩温度:+ 100 C 恢复直径: 长度:100 ft 内径:1.5 in 收缩率:2:1 |
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