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参数资料
| 型号： | NTMS5P02R2SG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 380mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS5P02R2SGOSCT |
NTMS5P02, NVMS5P02
12
10
8
6
4
2
? 8 V
? 2.3 V
? 4.5 V
? 3.7 V
? 3.1 V
? 2.7 V
? 2.5 V
T J = 25 ° C
? 2.1 V
? 1.9 V
? 1.7 V
12
10
8
6
4
2
V DS ≥ ? 10 V
25 ° C
100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V GS = ? 1.3 V
1.25 1.5 1.75
2
0
1
1.5
2
2.5
3
0.08
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.05
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
0.04
0.02
I D = ? 5.4 A
T J = 25 ° C
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 2.7 V
V GS = ? 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0.01
2
4
6
8
10
12
1.6
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.4
I D = ? 5.4 A
V GS = ? 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1
0.8
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
2
4
6
8
10
12
14 16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMSD2P102LR2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FETKY? |
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